| 发明名称 | 具有金属接触件的III-V族化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的包含至少第一III-V族半导体化合物的沟道层；位于沟道层的第一部分上方的栅极堆叠结构；位于沟道层的第二部分上方的包含至少第二III-V族半导体化合物的源极区和漏极区；以及位于S/D区上方的包含接触S/D区的第一金属化接触层的第一金属接触结构。第一金属化接触层包含至少一种金属-III-V族半导体化合物。本发明提供了具有金属接触件的III-V族化合物半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103531588A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201310111054.0 | 申请日期 | 2013.04.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 查理德·肯尼斯·奥克斯兰德 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；沟道层，包含至少第一III‑V族半导体化合物，所述沟道层位于所述半导体衬底上方；栅极堆叠结构，位于所述沟道层的第一部分的上方；源极区和漏极区，位于所述沟道层的第二部分的上方，所述源极区和所述漏极区(S/D区)包含至少第二III‑V族半导体化合物；以及第一金属接触结构，位于所述S/D区上方，所述第一金属接触结构包括接触所述S/D区的第一金属化接触层，该金属化接触层包含至少一种金属‑III‑V族半导体化合物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||