浅沟槽隔离结构制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；刻蚀在半导体基底中形成第一沟槽；氧化所述第一沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；涂覆聚硅氮烷对所述第一沟槽进行填充；高温固化；平坦化；刻蚀清洗，形成第二沟槽；沉积二氧化硅填充层，对第二沟槽进行填充；退火。本发明采用聚硅氮烷对第一沟槽较深的位置进行致密的填充并固化，对于较浅的第二沟槽，则采用高密度等离子体填充并退火，从而在防止硅损失的同时，有效消除二氧化硅填充层的中间孔洞。

主权项

一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；刻蚀在半导体基底中形成第一沟槽；氧化所述第一沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；涂覆聚硅氮烷对所述第一沟槽进行填充；高温固化；平坦化；刻蚀清洗，形成第二沟槽；沉积二氧化硅填充层，对第二沟槽进行填充；退火。