| 发明名称 | 在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法 | ||
| 摘要 | 一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，首先在浮栅上沉积偏移侧墙，其次对偏移侧墙102进行干法刻蚀，再对残余氧化物进行动态湿法刻蚀，使残余氧化物达到设定的目标厚度，最后对浮栅101进行多晶硅二次刻蚀。本发明能够控制残余氧化物的厚度，从而获得稳定的浮栅侧壁结构，进而得到稳定的浮栅擦除性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103531456A | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210231297.3 | 申请日期 | 2012.07.05 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 曹子贵;宁丹 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 张静洁;徐雯琼 |
| 主权项 | 一种在浮栅上形成稳定的残余氧化物的方法，该方法包含以下步骤：步骤1、在浮栅（101）上沉积偏移侧墙（102）；步骤2、对偏移侧墙（102）进行干法刻蚀；步骤3、再对浮栅（101）进行多晶硅二次刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||