发明名称 |
一种低失调的传感器检测电路 |
摘要 |
本发明公开了一种低失调的传感器检测电路,它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器。其优点是:可消除放大器两端的失调电压,检测精度高,而且电路结构简单。 |
申请公布号 |
CN103532498A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201310501369.6 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
成都市宏山科技有限公司 |
发明人 |
黄友华 |
分类号 |
H03F1/30(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/30(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种低失调的传感器检测电路,其特征在于:它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器,所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上;所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连;所述的电容C1的一端接地,另一端与场效应管MOS2的源极相连;所述的电容C2的一端接地,另一端与场效应管MOS5的源极相连;所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连,输出端连接在DA转化器上;所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上;所述的场效应管MOS3的源极接地,漏极与场效应管MOS2的源极相连;所述的场效应管MOS6的源极接地,漏极与场效应管MOS5的源极相连。 |
地址 |
610000 四川省成都市高新区永丰路20号附2号1层 |