发明名称 |
用于堆叠管芯封装的无线电-和电磁干扰穿透硅通孔及制造方法 |
摘要 |
装置包括有将RF管芯中的区从无线电-电磁干扰屏蔽的屏蔽穿透硅通孔和管芯背面网格盖子的射频管芯。 |
申请公布号 |
CN103534803A |
申请公布日期 |
2014.01.22 |
申请号 |
CN201280021956.9 |
申请日期 |
2012.04.27 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
T·喀姆盖恩;V·R·拉奥 |
分类号 |
H01L23/66(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
何焜 |
主权项 |
一种装置,所述装置包括:射频(RF)第一管芯,包括若干穿透硅通孔(TSV):有源表面和背面表面;所述RF第一管芯中的多个区;至少一个TSV,所述至少一个TSV传输信号、功率和接地之一(信号TSV);以及至少一个TSV屏蔽区,位于所述多个区之中,其中所述TSV屏蔽区包括:间隔开的屏蔽TSV的屏蔽TSV围合结构,其沿所述TSV屏蔽区的至少一部分周围形成边界;以及网格盖子,放置在所述管芯背面上并匹配所述边界网格。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |