| 发明名称 | 低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用，所述低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为：xPb1-m-n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2+uwt%Ta2O5，式中，0.001≤x≤1，0.001≤y≤1，x+y=1，0.01≤m+n≤0.5，0.001≤p≤2，0.001≤q≤2，0.001≤u≤2，0.6≤y1≤0.7，0.3≤y2≤0.4，y1+y2=1。本发明材料具有谐振频率单一，灵敏度高，接收信号幅度宽，稳定性好的特点，可以应用于制备骨密度仪超声换能器。 | ||
| 申请公布号 | CN102976753B | 申请公布日期 | 2014.01.22 |
| 申请号 | CN201210516363.1 | 申请日期 | 2012.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 李玉臣;董显林;姚烈 |
| 分类号 | H01L41/187(2006.01)I;C04B35/499(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/187(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲 |
| 主权项 | 一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述压电陶瓷材料的化学组成为：xPb1‑m‑n(Lam·Srn)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2+uwt%Ta2O5，式中，0.001≤x≤1，0.001≤y≤1，x+y=1，0.01≤m+n≤0.5，0.001≤p≤2，0.001≤q≤2，0.001≤u≤2，0.6≤y1≤0.7，0.3≤y2≤0.4，y1+y2=1。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||