发明名称 掩膜版制作方法及系统
摘要 本发明实施例公开了一种掩膜版制作方法及系统,该方法包括:a)确定光刻工艺条件;b)收集设计图形的OPC数据;c)从OPC数据中筛选出设计间距小于临界值的OPC图形数据;d)根据筛选出的OPC图形数据创建OPC模型,建立OPC程序;e)根据OPC程序,对筛选出的OPC数据进行OPC运算;f)验证OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤a)、b)、c)或d),如果是,根据设计图形以及OPC运算后的图形数据制作掩膜版。本发明只对筛选出的设计间距小于临界值的图形数据进行OPC处理,减少了OPC处理的数据量,缩短了OPC运算的时间,进而缩短了掩膜版的制作周期。
申请公布号 CN102478761B 申请公布日期 2014.01.22
申请号 CN201010560253.6 申请日期 2010.11.25
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 王谨恒;黄旭鑫
分类号 G03F1/36(2012.01)I;G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮;李辰
主权项 一种掩膜版制作方法,其特征在于,包括:a)确定光刻工艺条件;b)按照设计图形收集所述光刻工艺条件对应的OPC数据;c)确定所述设计图形的临界值,从所述OPC数据中筛选出设计图形中的设计间距小于临界值的OPC图形数据,其中,所述临界值为,在设计图形中,使光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值在误差允许范围内的设计间距,并且,设计间距大于该临界值的设计图形的光刻图形CD与掩膜版图形CD间的差值也在误差允许范围内;d)根据筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据创建OPC模型,由所述OPC模型建立OPC程序;e)根据所述OPC程序,对筛选出的所述设计间距小于临界值的OPC图形数据进行OPC运算;f)验证所述OPC运算后的图形数据的CD与目标CD的差值是否在误差允许范围内,如果否,返回步骤a)、b)、c)或d),如果是,根据所述设计图形以及所述OPC运算后的图形数据制作掩膜版。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号