发明名称 |
发光二极体装置及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种发光二极体装置,包括:一基板;一发光二极体结构,形成在该基板上,该发光二极体结构具有一下方发光二极体层、一主动层与一第一上方发光二极体层;以及多数个嵌入元件,至少延伸穿过部分该发光二极体结构的该第一上方发光二极体层,该些嵌入元件由上方观看是被该发光二极体结构所围绕,该些嵌入元件的折射系数不同于该第一上方发光二极体层。 |
申请公布号 |
TWI424589 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW098137080 |
申请日期 |
2009.11.02 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
陈鼎元;邱文智;余振华 |
分类号 |
H01L33/20;H01L33/44 |
主分类号 |
H01L33/20 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |