发明名称 发光二极体装置及其形成方法
摘要 本发明提供一种发光二极体装置,包括:一基板;一发光二极体结构,形成在该基板上,该发光二极体结构具有一下方发光二极体层、一主动层与一第一上方发光二极体层;以及多数个嵌入元件,至少延伸穿过部分该发光二极体结构的该第一上方发光二极体层,该些嵌入元件由上方观看是被该发光二极体结构所围绕,该些嵌入元件的折射系数不同于该第一上方发光二极体层。
申请公布号 TWI424589 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW098137080 申请日期 2009.11.02
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 陈鼎元;邱文智;余振华
分类号 H01L33/20;H01L33/44 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号