发明名称 直接电镀之方法及钯导电体层形成溶液
摘要 本发明系提供一种直接电镀之方法。藉由对被电镀物的表面进行赋予钯触媒的处理,于绝缘性部分的表面赋予钯触媒,藉由含有钯化合物、胺化合物及还原剂之钯导电体层形成溶液,于绝缘性部分形成钯导电体层,于钯导电体层上直接形成铜电镀膜。因为不使用高硷性的无电解铜电镀液,而以中性之上述钯导电体层形成溶液进行导体化,故不侵蚀聚醯亚胺,对密合性不产生不良影响。而且,因为于该钯导电体层形成溶液中添加唑化合物,对铜上不引起钯导电体层的形成,存在于基板之铜的部分与铜电镀膜之间具有非常高的连接可靠性。
申请公布号 TWI424099 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW095124528 申请日期 2006.07.05
申请人 上村工业股份有限公司 日本 发明人 山本久光
分类号 C25D5/56;C23C18/42 主分类号 C25D5/56
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本