发明名称 半导体结构及其制造方法
摘要 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一半导体基底、一隔离层、一第一金属层与一第二金属层。半导体基底包括一基底上表面与一半导体元件。半导体元件系在基底上表面下。隔离层具有相对的一第一侧边与一第二侧边。第一金属层系设置于基底上表面上。第一金属层与第二金属层系分别在第一侧边与第二侧边上。第二金属层之下表面系在基底上表面的下方。
申请公布号 TWI424529 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW099137030 申请日期 2010.10.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 发明人 陈士弘
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号