发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一半导体基底、一隔离层、一第一金属层与一第二金属层。半导体基底包括一基底上表面与一半导体元件。半导体元件系在基底上表面下。隔离层具有相对的一第一侧边与一第二侧边。第一金属层系设置于基底上表面上。第一金属层与第二金属层系分别在第一侧边与第二侧边上。第二金属层之下表面系在基底上表面的下方。 |
申请公布号 |
TWI424529 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW099137030 |
申请日期 |
2010.10.28 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
陈士弘 |
分类号 |
H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |