| 摘要 |
本发明之目的在于提供使用硼氮炔(borazine)系化合物之绝缘膜而经提高绝缘材料和布线材料之间之密着性或机械强度等之特性的半导体装置及其制造方法。;本发明之解决手段是一种半导体装置，系包含有以下构成者：第1绝缘层1，其在凹部埋入有第1导体层2；蚀刻阻挡层3，其形成在第1绝缘层1上；第2绝缘层4，其形成在蚀刻阻挡层3上；第3绝缘层7，其形成在第2绝缘层4上；以及第2导体层5，其埋入在第2绝缘层4和第3绝缘层7之凹部；其特征在于：第2绝缘层4和第3绝缘层7系以含碳之硼氮炔化合物作为原料，利用化学气相反应成长法形成；第3绝缘层7之碳含有率小于第2绝缘层4之碳含有率。 |
