发明名称 |
检验图案、图案缝合检验方法及包含该检验图案之半导体晶圆 |
摘要 |
本发明提供一种双重图案技术中之检验图案,该检验图案包括复数个图案线段,该等图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段,其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶圆,该半导体晶圆具有至少一相应该检验图案之目标图案。本发明另提供一种利用该检验图案于双重图案技术中检验图案缝合之方法,透过比对该目标图案及该检验图案相应之缝合关键尺寸,以检查图案缝合区域中之图案线段位移及增加积体电路布局的可靠度及可印制性。 |
申请公布号 |
TWI424514 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW100116424 |
申请日期 |
2011.05.11 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
傅国贵;陈逸男;刘献文 |
分类号 |
H01L21/66;H01L21/67 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
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代理人 |
冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |