发明名称 微影双重图形成形方法
摘要 一种微影图形成形方法,包含下列步骤:形成一第一光阻层于一基板上,第一光阻层包含至少一开口;固化第一光阻层;形成一第二光阻层于基板上;形成一物质层于基板上;以及移除第一及第二光阻层以曝露基板。
申请公布号 TWI424469 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW097138588 申请日期 2008.10.07
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 许峯诚;陈俊光
分类号 H01L21/027;H01L21/3065 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号