发明名称 |
微影双重图形成形方法 |
摘要 |
一种微影图形成形方法,包含下列步骤:形成一第一光阻层于一基板上,第一光阻层包含至少一开口;固化第一光阻层;形成一第二光阻层于基板上;形成一物质层于基板上;以及移除第一及第二光阻层以曝露基板。 |
申请公布号 |
TWI424469 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW097138588 |
申请日期 |
2008.10.07 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
许峯诚;陈俊光 |
分类号 |
H01L21/027;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |