| 摘要 |
至少含有SiO2、Al2O3、ZnO、CaO、3mol%~10mol%的B2O3、且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃组成物。SiO2的含有量在32mol%~48mol%的范围内，Al2O3的含有量在9mol%~13mol%的范围内，ZnO的含有量在18mol%~28mol%的范围内，CaO的含有量在15mol%~23mol%的范围内，B2O3的含有量在3mol%~10mol%的范围内。通过本发明的半导体接合保护用玻璃组成物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往使用“以矽酸铅为主要成分的玻璃”时同样的高耐压的半导体装置。 |
