拉制矽单晶的方法

摘要

本发明涉及一种从一容纳在一坩埚中的熔体中拉制一矽单晶的方法，其包含：将一晶种浸入该熔体；藉由在一拉晶速度下从熔体中拉提该晶种以在该晶种上结晶单晶；在一锥形部分中拓宽该单晶的直径至一定点直径，包括以在该锥形部分中诱导该单晶生长前端的曲率反转的方式，控制该拉晶速度。