发明名称 |
使用低介电常数介电质之积体电路系统及其制造方法 |
摘要 |
一种制造积体电路系统的方法,该方法包含:制造具有积体电路的基板;在所述积体电路上施加低K电介质层;在所述积体电路上之所述低K电介质层中形成通孔与沟槽;透过化学机械平坦化(CMP)制程形成结构表面;以及将直接植入施加至所述结构表面,用于形成植入层以及金属钝化层,包含修复由所述化学机械平坦化制程所造成之对所述低K电介质层的破坏。 |
申请公布号 |
TWI424493 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW099119038 |
申请日期 |
2010.06.11 |
申请人 |
新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 新加坡 |
发明人 |
索唐奇;刘武平;张帆;陈元文;李京徽;张北超;杜路营;刘威;林耀庆 |
分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
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地址 |
新加坡 |