发明名称 使用低介电常数介电质之积体电路系统及其制造方法
摘要 一种制造积体电路系统的方法,该方法包含:制造具有积体电路的基板;在所述积体电路上施加低K电介质层;在所述积体电路上之所述低K电介质层中形成通孔与沟槽;透过化学机械平坦化(CMP)制程形成结构表面;以及将直接植入施加至所述结构表面,用于形成植入层以及金属钝化层,包含修复由所述化学机械平坦化制程所造成之对所述低K电介质层的破坏。
申请公布号 TWI424493 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW099119038 申请日期 2010.06.11
申请人 新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司 新加坡 发明人 索唐奇;刘武平;张帆;陈元文;李京徽;张北超;杜路营;刘威;林耀庆
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项
地址 新加坡