| 发明名称 |
一种半导体结构及其制作方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种抗紫外线、抗漏电之半导体结构及其制作方法，其特征在于使用非晶矽取代知技术中所使用的富氧矽层或超富氧矽层，以改善蚀刻控制问题。本发明另一特征在于接触洞内使用氮化矽侧壁子，以解决导电层漏电的问题。 |
| 申请公布号 |
TWI424503 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
| 申请号 |
TW101130492 |
申请日期 |
2008.04.09 |
| 申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
陈逸男;刘献文;蔡子敬 |
| 分类号 |
H01L21/316;H01L29/786;H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
