| 摘要 |
本发明提供机械加工性优异，可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜之溅镀靶及其制造方法。本发明之溅镀靶，对溅镀靶中的所有金属元素，含有Ga：15~40原子百分比(原子%)，进而含有Bi：0.1~5原子%，其余部分为Cu及不可避免之不纯物所构成的组成成分。此溅镀靶之制造方法，具有至少将Cu、Ga及Bi之各元素的单体或者含有这些之中2种以上的元素之合金在1050℃以上熔解，制作铸块之步骤。此外，具有制作至少Cu、Ga及Bi之各元素的单体或者含有这些之中2种以上的元素之合金之粉末的原料粉末之步骤，以及将原料粉末在真空、惰性氛围或者还原氛围下进行热间加工的步骤。 |
