发明名称 半导体元件的钝化层结构及其形成方法
摘要 本发明一实施例提供一种半导体元件的钝化层结构,用于设置于一半导体基板上,包括:一钝化层结构,设置于该半导体基板上,其中该钝化层结构包括一卤素掺杂之氧化铝层。
申请公布号 TWI424578 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW099137154 申请日期 2010.10.29
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 孙文檠;林泽胜;游胜闵
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号