发明名称 |
半导体元件的钝化层结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明一实施例提供一种半导体元件的钝化层结构,用于设置于一半导体基板上,包括:一钝化层结构,设置于该半导体基板上,其中该钝化层结构包括一卤素掺杂之氧化铝层。 |
申请公布号 |
TWI424578 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
申请号 |
TW099137154 |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
孙文檠;林泽胜;游胜闵 |
分类号 |
H01L31/042;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L31/042 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |