发明名称 于非挥发性储存器中在读取操作时耦合的补偿
摘要 藉由调整施加至毗邻位元线之电压来补偿来自该等毗邻位元线上之储存元件之电容性耦合。执行一初始粗读取以确认该等位元线毗邻储存元件之资料状态,并在一随后精读取时,基于该等经确认状态及施加至一选定字线之当前控制闸极读取电压来设定位元线电压。当该当前控制闸极读取电压对应于一较一毗邻储存元件之该经确认状态为低之资料状态时,使用一补偿位元线电压。亦可藉由下述方式来提供对来自一毗邻字线上之一储存元件之耦合的补偿:将不同读取通过电压施加至该毗邻字线,并使用一基于该字线毗邻储存元件之一资料状态识别之特定读取通过电压来获得读取资料。
申请公布号 TWI424436 申请公布日期 2014.01.21
申请号 TW098126195 申请日期 2009.08.04
申请人 桑迪士克科技公司 美国 发明人 杜塔 狄班舒;路特西 杰佛瑞W;东英达;钦 亨利;石垣录
分类号 G11C16/06;G11C7/12 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国