| 摘要 |
本发明的半导体发光元件的制造方法，系具有半导体层形成制程、接合制程、沟形成制程、光照射制程、剥离制程以及切断制程。在半导体层形成制程中，形成多层氮化物半导体层于具有透光性的第一晶圆的顶面。在接合制程中，于多层氮化物半导体层的顶面，接合第二晶圆。在沟形成制程中，从第一晶圆的底面，形成深度至少到达多层氮化物半导体层之沟。在光照射制程中，隔着第一晶圆，对多层氮化物半导体层的底面，照射第一光。藉此，多层氮化物半导体层与第一晶圆之间的接合力会被降低。在剥离制程中，从多层氮化物半导体层分离第一晶圆。在切断制程中，沿着沟切断第二晶圆，藉此，分割为复数个半导体发光元件。 |
