半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的课题为如下：在制造具有n型薄膜电晶体和p型薄膜电晶体的半导体装置的情况下，减少TFT的不均匀。此外，掩模数量的缩减、制造步骤数量的减少、以及制造步骤期间的缩短。本发明是一种半导体装置的制造方法，其中在形成第一薄膜电晶体的岛状半导体层之后，形成第二薄膜电晶体的岛状半导体层，且当形成所述第二薄膜电晶体的岛状半导体层之际，将与所述第二薄膜电晶体的岛状半导体层接触的闸绝缘膜兼用作所述第一薄膜电晶体的岛状半导体层的保护膜(蚀刻停止膜)。