萘衍生物、光阻下层膜材料、光阻下层膜形成方法及图案形成方法

摘要

本发明系关于一种以下述通式(1)表示的萘衍生物；;(1);(环结构Ar1、Ar2表示苯环或萘环，X表示单键或C1～20的伸烷基，m表示0或1，n为如分子量成为100,000以下之任意的自然数。);藉由使用利用本发明的萘衍生物、或是含有该萘衍生物之高分子化合物的光阻下层膜材料之光阻下层膜形成方法，而具有作为抗反射膜之最理想的n、k值与嵌入特性、优异的蚀刻耐性，且具有高耐热性、耐溶剂性，并可抑制烘烤中的逸出气体之产生，在基板的蚀刻中形成不会产生扭曲的光阻下层膜。再者，根据本发明，可提供组合利用旋转涂布法得到之光阻下层膜与利用CVD法得到之无机硬遮罩的图案形成方法。