| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
一种半导体装置包括：藉由层压复数个半导体基板形成之一层压基板、形成于该层压基板中之一凹入部分，以及安装于该凹入部分中之一半导体元件。一种半导体装置之制造方法包括一藉由层压复数个半导体基板形成一层压基板之第一步骤、一藉由蚀刻该层压基板形成一凹入部分之第二步骤，以及一在该凹入部分中安装一半导体元件之第三步骤。 |
| 申请公布号 |
TWI424546 |
申请公布日期 |
2014.01.21 |
| 申请号 |
TW096128588 |
申请日期 |
2007.08.03 |
| 申请人 |
新光电气工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
村山启;田口裕一;小泉直幸;春原昌宏;白石晶纪;东光敏 |
| 分类号 |
H01L23/492;H01L23/02;H01L21/60;H01L21/52 |
主分类号 |
H01L23/492 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
