| 摘要 |
本发明系关于一种从熔体中生长矽单晶的方法和装置。该方法包括：在一坩埚中提供该熔体；在该熔体上施加一水平磁场，该磁场在场中心C具有一磁感应B；将气体在该矽单晶与一热遮蔽体之间导向一熔体自由表面；以及控制该气体流过该熔体自由表面之一区域，该区域系于一实质上垂直于该磁感应B的方向上延伸。该装置包括：一用于承载熔体的坩埚；一用于在该熔体上施加一水平磁场之磁系统，该磁场在磁场中心C具有一磁感应B；一围绕该矽单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有一连接至一面对一熔体自由表面之底盖的下端，且相对于坩埚之中心轴M具有一非轴对称形状，从而使得在该矽单晶和该热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体受该底盖驱使而流过该熔体自由表面之一区域，该区域系于一实质上垂直于该磁感应B的方向上延伸。 |
