三维反及型记忆体及其制作方法

摘要

一种单体、三维反及串包括一位于一第二记忆体单元上方之第一记忆体单元。该第一记忆体单元之一半导体作用区域磊晶地形成于该第二记忆体单元之一半导体作用区域上，以使得在该第一记忆体单元之该半导体作用区域与该第二记忆体单元之该半导体作用区域之间存在一经界定之边界。