薄膜电晶体基板的制造方法

摘要

本发明系关于一种薄膜电晶体(TFT)基板的制造方法，其包括下列步骤：在一基板上制作多晶矽膜图案，该图案包括多个第一种类型TFT源极接触区及汲极接触区和多个第二种类型TFT源极接触区及汲极接触区；对第一种类型TFT源极接触区与汲极接触区进行重掺杂；在多晶矽膜表面形成闸极绝缘膜，其上形成闸极金属线；对第二种类型TFT源极接触区与汲极接触区进行自我对准式重掺杂；在闸极绝缘膜和闸极金属线的表面形成介电层；制作连接通道及电极金属线；其中第一种类型TFT与第二种类型TFT重掺杂相互补偿。