| 摘要 |
1. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, путем плазменного нанесения кремнийсодержащего материала, отличающийся тем, что нанесение кремнийсодержащего материала осуществляют методом магнетронного распыления кремниевой мишени с использованием плазмы, генерируемой электрическим разрядом постоянного тока в среде аргона с контролируемыми добавками кислорода и азота с получением нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными наноразмерными кластерами кремния.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение пленки ведут при скорости осаждения 5-7 нм/мин и концентрации кислорода и азота 6-8 об.% и 3-5 об.% соответственно. |
