发明名称 СПОСОБ АВТОЭЛЕКТРОННОГО ВАКУУМНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ И АВТОЭЛЕКТРОННОЕ ВАКУУМНОЕ ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С РЕГУЛИРУЕМЫМ ЗАЗОРОМ ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ
摘要 1. Способ охлаждения, характеризующийся использованием охлаждаемой пластины - источника горячих электронов, которую через изолятор соединяют с первым уровнем источника поля, который в свою очередь через изолятор соединяют с конечным уровнем источника поля, причем каждый из источников поля выполняют в виде электрического проводника с положительным потенциалом, а посредством пластины и источников поля образуют замкнутую объемную структуру с вакуумной камерой, причем на поверхности пластины, обращенной внутрь вакуумной камеры выполнены микроскопические выступы или иглы, с помощью которых облегчают эмиссию горячих электронов внутрь вакуумной камеры.2. Способ охлаждения по п.1, отличающийся тем, что дополнительно используют контроллер, с помощью которого управляют силой поля (напряжением) на текущем (активном) одиночном уровне или активной группы уровней, управляют выборкой уровня на который требуется подать поле (напряжение), и выборкой уровня, с которого соответственно требуется снять поле (напряжение), коммутацией подачи поля (напряжения) на заданный уровень, производят расчет значения необходимого напряжения на уровнях по силе тока на активных уровнях непосредственно (по значениям тока) или косвенно (емкостно) за счет кратковременного отключения всех уровней для введения «тактов неактивности», в которые - контроллером проводят измерения текущего состояния зазора между уровнями и охлаждаемой пластиной.3. Способ охлаждения по п.1 или 2, отличающийся тем, что между первым и конечным источниками поля через изоляторы размещают не менее одного дополнительного уровня источника поля так, чтобы каждый источник
申请公布号 RU2012129517(A) 申请公布日期 2014.01.20
申请号 RU20120129517 申请日期 2012.07.12
申请人 Валенцов Михаил Юрьевич 发明人 Валенцов Михаил Юрьевич
分类号 H01L35/32 主分类号 H01L35/32
代理机构 代理人
主权项
地址