| 摘要 |
Eine Halbleitereinrichtung umfassend:–einen Transistor, der in einem aktiven Gebiet, das einen Teil eines Halbleitersubstrats bildet, ausgebildet ist, und–Isolationsgräben, wobei die Isolationsgräben das aktive Gebiet begrenzen und mit einem isolierenden Material gefüllt sind und sich bis zu einer ersten Tiefe, die von der Bodenoberfläche des isolierenden Materials bis mindestens zur Oberseitenoberfläche des Steges gemessen wird, erstrecken, wobei der Transistor einen ersten Source/Drain-Bereich, einen zweiten Source/Drain-Bereich, einen Kanal, der zwischen dem ersten und dem zweiten Source/Drain-Bereich ausgebildet ist, eine Gateelektrode, die aus einem leitfähigen Material ausgebildet ist, und eine Gateisolationsschicht, die zwischen der Gateelektrode und dem Kanal angeordnet ist, umfasst, wobei der Kanal als ein Steg in dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, ein Teil der Gateelektrode in einem Graben, der zwischen dem Steg und dem Isolationsgraben angeordnet ist, ausgebildet ist, wobei sich der Graben bis in eine zweite Tiefe, die von der Oberseitenoberfläche des Steges bis zu der Bodenoberfläche des Grabens gemessen wird, erstreckt, wobei die erste Tiefe größer als die zweite Tiefe ist, und wobei im unteren Bereich des Grabens ein isolierendes Material ausgebildet ist, das eine größere Dicke als die Gateisolationsschicht aufweist. |
