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Verfahren zum einseitigen Polieren mindestens eines Substrates aus Halbleitermaterial, umfassend mindestens einen ersten Polierschritt, mit dem das Substrat auf einem Poliertuch poliert wird, wobei während des Polierschrittes eine alkalische Poliermitteldispersion, welche abrasive Partikel enthält, zwischen das Substrat und das Poliertuch gebracht wird und mindestens einen zweiten Polierschritt zur Politur des mindestens einen Substrates aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Polierschritt durch Wasser gestoppt wird, das verwendete Poliertuch im Vergleich zu dem Poliertuch aus dem ersten Polierschritt weicher ist und die dynamische Kompressibilität des Poliertuches des zweiten Polierschrittes 19–23% beträgt und dieser zweite Polierschritt die Einzelschritte (a) bis (e) in der genannten Reihenfolge und mit den jeweils genannten Prozessparametern umfasst: (a) Politur des mindestens einen Substrates aus Halbleitermaterial mit einem Polierdruck pA und für eine Dauer tA, wobei als Poliermittel eine alkalische Dispersion mit freien Abrasiven verwendet wird; (b) Fortsetzen des zweiten Polierschrittes für eine Dauer tB mit einem Polierdruck pB, wobei pB wesentlich kleiner als pA ist und der Druck mit Beginn des Einzelschrittes (b) in weniger als 5 Sekunden auf pB abgesenkt wird und gleichzeitig das im Einzelschritt (a) verwendete Poliermittel durch Wasser ersetzt wird; (c) Fortsetzen des zweiten Polierschrittes für eine Dauer tC mit einem Polierdruck pC, wobei pC größer als pB aber kleiner als pA ist und der Druck mit Beginn des Einzelschrittes (c) in weniger als 5 Sekunden auf pC erhöht wird und gleichzeitig das im Einzelschritt (b) verwendete Wasser durch ein Poliermittel, welches aus einer alkalischen Dispersion besteht, ersetzt wird; (d) Fortsetzen des zweiten Polierschrittes für eine Dauer tD, wobei der Polierdruck pC auf 0 bar mit Beginn des Einzelschrittes (d) in weniger als 5 Sekunden gesenkt wird und das Poliertuch, bzw. der Flüssigkeitsfilm auf der Poliertuchoberfläche, noch in Kontakt mit der mindestens einen Oberfläche des Substrates aus Halbleitermaterial ist und gleichzeitig das im Einzelschritt (c) verwendete Poliermittel durch Wasser ersetzt wird; (e) Beenden des zweiten Polierschrittes durch das Abheben der mindestens einen Oberfläche des Substrates aus Halbleitermaterial vom mit dem Poliertuch belegten Polierteller und Spülen der mindestens einen Oberfläche des Substrates aus Halbleitermaterial mit Wasser für eine Zeitdauer tE. |
