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Eine Halbleitervorrichtung enthält ein Gehäuse (1), eine Eingangsanpassschaltung (4) und eine Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1) und eine Mehrzahl von Transistorchips (6) zwischen der Eingangsanpassschaltung (4) und der Ausgangsanpassschaltung (5) in dem Gehäuse (1). Jeder Transistorchip (6) enthält ein rechteckiges Halbleitersubstrat (8) mit langen Seiten und kurzen Seiten, die kürzer als die langen Seiten sind, sowie eine Gateelektrode (9), eine Drainelektrode (10) und eine Sourceelektrode (11) auf dem Halbleitersubstrat (8). Die Gateelektrode (9) enthält eine Mehrzahl von Gatefingern (9a), die entlang der langen Seiten des Halbleitersubstrats (8) angeordnet sind, und eine Gateanschlussfläche (9b), die mit der Mehrzahl von Gatefingern (9a) gemeinsam verbunden ist und die über einen Draht (12) mit der Eingangsanpassschaltung (4) verbunden ist. Die Drainelektrode (10) ist über einen Draht (13) mit der Ausgangsanpassschaltung (5) verbunden. Die langen Seiten der Halbleitersubstrate (8) der Mehrzahl von Transistorchips (6) sind schräg zu einer Eingangs/Ausgangs-Richtung von der Eingangsanpassschaltung (4) zu der Ausgangsanpassschaltung (5). |
