发明名称 Kohlenstoffschicht und Verfahren zur Herstellung
摘要 <p>Es wird ein System und Verfahren zu Herstellung einer Kohlenstoffschicht angegeben. Eine Ausführung umfasst das Ablagern einer ersten Metallschicht auf einem Substrat, wobei das Substrat Kohlenstoff aufweist. Ein Silizid wird epitaktisch auf dem Substrat aufgezogen, wobei das epitaktische Aufziehen des Silizids auch eine Schicht aus Kohlenstoff auf dem Silizid ausbildet. In einer Ausführung besteht die Kohlenstoffschicht aus Graphen und kann auf ein Halbleitersubstrat zur weiteren Verarbeitung übertragen werden, um einen Kanal in dem Graphen auszubilden.</p>
申请公布号 DE102013104608(A1) 申请公布日期 2014.01.16
申请号 DE201310104608 申请日期 2013.05.06
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人 VAN DAL, MARK
分类号 H01L21/336;H01L21/20 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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