发明名称 |
Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchip |
摘要 |
<p>In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2). Eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (33) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, die sich zwischen einer n-Schicht (31) und einer p-Schicht (35) befindet, ist auf einer Trägeroberseite (20) angebracht. Der Halbleiterchip (1) weist eine n-Kontaktstelle (51) und eine p-Kontaktstelle (55) zum elektrischen Kontaktieren auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) zumindest zwei oder drei elektrische Leiterbahnen (4). In Draufsicht gesehen ist die Halbleiterschichtenfolge (3) in wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Emitterbereiche (36) strukturiert. Die Emitterbereiche (36) sind über die Leiterbahnen (4) elektrisch in Serie geschaltet. Es befinden sich die Leiterbahnen (4) an einer dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3).</p> |
申请公布号 |
DE102012106364(A1) |
申请公布日期 |
2014.01.16 |
申请号 |
DE201210106364 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
HOEPPEL, LUTZ;MALM, NORWIN VON |
分类号 |
H01L33/08;H01L33/36;H01S5/02;H01S5/40 |
主分类号 |
H01L33/08 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|