| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第一区域相邻的第二区域；刻蚀所述半导体衬底，在第一区域的半导体衬底内形成若干第一凹槽，所述相邻第一凹槽之间为鳍部，在第二区域的半导体衬底内形成第二凹槽，第二凹槽的宽度大于第一凹槽的宽度；在所述第一凹槽内填充满第一隔离材料，形成第一隔离结构，在第二凹槽的侧壁形成隔离侧墙；以所述隔离侧墙为掩膜，刻蚀第二凹槽底部暴露的半导体衬底，形成第三凹槽；在第二凹槽和第三凹槽内填充满第二隔离材料，形成第二隔离结构。本发明形成第一隔离结构和第二隔离结构的方法，工艺步骤简单。 | ||
| 申请公布号 | CN103515230A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210203744.4 | 申请日期 | 2012.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健;周梅生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第一区域相邻的第二区域；刻蚀所述半导体衬底，在第一区域的半导体衬底内形成若干第一凹槽，所述相邻第一凹槽之间为鳍部，在第二区域的半导体衬底内形成第二凹槽，第二凹槽的宽度大于第一凹槽的宽度；在所述第一凹槽内填充满第一隔离材料，形成第一隔离结构，在第二凹槽的侧壁形成隔离侧墙；以所述隔离侧墙为掩膜，刻蚀第二凹槽底部暴露的半导体衬底，形成第三凹槽；在第二凹槽和第三凹槽内填充满第二隔离材料，形成第二隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||