| 发明名称 | 制造具有钌衬里铜的集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种制造具有钌衬里铜的集成电路的方法，且本发明提供制造集成电路的方法。在一实施例中，制造集成电路的方法包括沉积介电层，该介电层定义一平面。在该方法中，蚀刻该介电层以形成沟槽。接着，在该介电层上方沉积含钌衬里层。使用含铜金属填充所述沟槽。该方法包括凹入各沟槽中的该含铜金属，以在该含铜金属与该平面之间形成空隙。使用覆盖层填充该空隙。然后，平坦化该些层到至少该平面。 | ||
| 申请公布号 | CN103515306A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310067397.1 | 申请日期 | 2013.03.04 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | K·谭瓦;张洵渊;何铭 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造集成电路的方法，包括：沉积介电层，该介电层定义一平面；蚀刻该介电层以形成沟槽；在该介电层上方沉积含钌衬里层；使用含铜金属填充所述沟槽；凹入各沟槽中的该含铜金属，以在该含铜金属与该平面之间形成空隙；使用覆盖层填充该空隙；以及平坦化该些层到至少该平面。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||