超硬半导体材料抛光方法

摘要

本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。

主权项

一种超硬半导体材料抛光方法，包括：粗抛光：超硬半导体材料采用PH值为3至11、浓度为3%至50%、粒径为1.5μm至6μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至20g/cm2，抛光盘转速为30rpm至90rpm；精抛光：对经粗抛光的超硬半导体材料采用采用PH值为3至11，浓度为3%至50%，粒径为0.5μm至3μm的金刚石抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至20g/cm2，抛光盘转速为30rpm至90rpm；以及化学机械抛光：对经精抛光的超硬半导体材料采用PH值为4.5至10，浓度为3%至30%，粒径为10nm至100nm的硅溶胶，以H2O2和硅溶胶之比为1:5至1:25的比例范围加入H2O2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2至15g/cm2，抛光盘转速为50rpm至100rpm。