一种鳍式场效应管制作方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应管FinFET制作方法，该方法利用外延生长锗硅层和硅层以及锗硅层与半导体衬底和硅层之间的高刻蚀选择比，精确控制形成Fin的高度，在形成包围Fin的栅极结构和侧墙并源漏极注入之后，利用选择性刻蚀刻去除Fin的源极和漏极下方的硅层部分形成沟槽，最后用Flowable CVD二氧化硅的方法在沟槽中形成源漏极隔离；本发明提出的FinFET制作方法一方面避免了在半导体衬底中形成较大深度的凹槽并在其中填充电介质作为STI，也无需采用回刻部分电介质的方法形成鳍片，而是采用外延生长Si层的方式精确控制鳍片的高度，另一方面以二氧化硅作为介质埋层，切断了源漏的泄露通道，降低泄漏电流。

主权项

一种鳍式场效应管FinFET的制作方法，该方法包括：提供一具有半导体衬底的晶片，所述半导体衬底的晶片器件面依次外延生长锗硅层和硅层；光刻后刻蚀所述硅层形成鳍片，以所述锗硅层为刻蚀停止层；形成包围所述鳍片的栅极结构和侧墙之后，以所述栅极和侧墙为遮蔽在所述鳍片上形成源极和漏极；选择性刻蚀锗硅层，去除没有被所述鳍片、栅极结构以及侧墙覆盖的锗硅层部分以及所述源极和漏极下方的锗硅层部分；在晶片器件面可流动化学气相沉积二氧化硅后，刻蚀去除所述鳍片表面、栅极结构顶部以及侧墙表面的二氧化硅部分。