发明名称 |
提高SiC基复合材料支撑结构环境适应性的原位结合工艺 |
摘要 |
本发明提出了一种提高SiC基复合材料支撑结构环境适用性的原位结合工艺,其特征在于所述的原位结合工艺包括三种途径:途径一,对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗,烘干后放入气相渗透处理炉中,抽真空,在真空状态下升温至沉积温度,通入反应气体,通过CVI工艺在PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件上形成陶瓷增强层;途径二,在途径一制备的陶瓷增强层的基础上于其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜;途径三,对PIP工艺制备的SiC基复合材料试样/构件进行清洗、烘干后在其表面均匀喷涂树脂溶液形成液膜并使其固化形成一层树脂膜。本发明可广泛应用于空间光学系统反射镜支撑结构中。<pb pnum="1" /> |
申请公布号 |
CN105519255B |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201218000406.1 |
申请日期 |
2012.03.14 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
董绍明;丁玉生;何平;周海军;张翔宇;王震;高乐 |
分类号 |
C23C16/32(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;B05D5/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/32(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高C/SiC复合材料支撑结构环境适应性的原位结合工艺,其特征是,包括如下工艺步骤:(1)对采用PIP工艺制备的C/SiC复合材料试样/构件进行清洗,去除表层存在的粉体颗粒,并烘干;(2)将已清洗烘干的C/SiC复合材料试样/构件放入气相渗透处理炉中,抽真空,在真空状态下升温至沉积温度;(3)在气相渗透处理炉中通入反应气体,通过CVI工艺在PIP工艺制备的C/SiC复合材料试样/构件上形成陶瓷增强层,所述陶瓷增强层为SiC、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>、B<sub>4</sub>C或ZrC,陶瓷增强层厚度为0.5‑20μm;(4)将树脂溶液均匀喷涂在步骤(3)陶瓷增强层表面,在陶瓷增强层表面形成厚度为1‑200μm的液膜;(5)使陶瓷增强层表面的液膜发生固化,形成一层树脂膜,厚度为1‑30μm。 |
地址 |
200050 上海市定西路1295号 |