功率半导体封装体及其制造方法

摘要

一种功率半导体封装体及其制造方法在此揭露，其中功率半导体封装体包含引线框架、第一芯片、第二芯片与单一连接片。引线框架具有电源引线板、接地板、输出引线板、第一栅极引线板与一第二栅极引线板，彼此分开设置。第一芯片设置于电源引线板上，第一芯片内部的高侧功率晶体管的栅极接至第一栅极引线板；第二芯片设置于接地板上，第二芯片内部的低侧功率晶体管的栅极接至第二栅极引线板。连接片设置于第一、第二芯片与输出引线板上，电气连接高侧功率晶体管的源极与低侧功率晶体管的漏极。

主权项

一种功率半导体封装体，其特征在于，包含：一引线框架，至少具有一电源引线板、一接地板、一输出引线板、一第一栅极引线板与一第二栅极引线板，彼此分开设置；一第一芯片，设置于该电源引线板上，其中该第一芯片内部具有一高侧功率晶体管，该高侧功率晶体管的栅极接至该第一栅极引线板；一第二芯片，设置于该接地板上，其中该第二芯片内部具有一低侧功率晶体管，该低侧功率晶体管的栅极接至该第二栅极引线板；以及单一连接片，设置于该第一、第二芯片与该输出引线板上，电气连接该高侧功率晶体管的源极与该低侧功率晶体管的漏极。