| 发明名称 | 阻变存储器件以及具有其的存储装置和数据处理系统 | ||
| 摘要 | 提供一种可利用低功耗操作的阻变存储器件和包括所述阻变存储器件的存储装置和数据处理系统。所述阻变存储器件包括包含10wt%至60wt%（原子重量）的硒（Se）或碲（Te）的硫族化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN103514949A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310198834.3 | 申请日期 | 2013.05.24 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李根;姜世勋;具滋春;洪权 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：下电极，所述下电极与接入器件电连接；数据储存节点，所述数据储存节点包括要被所述下电极加热的可变电阻材料层，所述可变电阻材料层包括包含10wt%至60wt%原子重量的硒或碲的硫族化合物；以及上电极，所述上电极与所述数据储存节点连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||