存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置

摘要

一种存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置。该存储器管理方法，用于控制有多个物理擦除单元的可重写式非易失性存储器模块。该方法包括以下步骤。设定物理擦除单元的操作模式包括三种模式。第一模式表示所有的物理编程单元可被编程，第二模式与第三模式表示上物理编程单元为不可被编程，但第三模式无法被切换至其他模式。将物理擦除单元划分为第一区与第二区。物理擦除单元在第一区时，是可切换地操作在第一模式或第二模式，在第二区时则固定为第三模式。当符合一个情况时，将一个物理擦除单元从第一区划分为第二区。藉此，可以延长可重写式非易失性存储器的使用寿命。

主权项

一种存储器管理方法，用于控制一可重写式非易失性存储器模块，其中该可重写式非易失性存储器模块包括多个物理擦除单元，每一所述物理擦除单元包括多个物理编程单元组，每一所述物理编程单元组包括多个物理编程单元，每一所述物理编程单元组的所述物理编程单元包括一下物理编程单元与上物理编程单元，其中所述上物理编程单元编程的速度慢于所述下物理编程单元，该存储器管理方法包括：设定每一所述物理擦除单元的一操作模式包括一第一模式、一第二模式与一第三模式，其中该第一模式表示所述物理编程单元可被编程，该第二模式表示所述上物理编程单元为不可被编程，该第三模式表示所述上物理编程单元为不可被编程，并且该操作模式无法从该第三模式切换至该第一模式或该第二模式；将所述物理擦除单元划分为一第一区与一第二区，其中该第一区的每一所述物理擦除单元是可切换地操作在该第一模式或该第二模式，并且该第二区的每一所述物理擦除单元的该操作模式为该第三模式；以及当判断该第一区的一第一物理擦除单元是属于危险擦除单元时，将该第一物理擦除单元的该操作模式设定为该第三模式，并且将该第一物理擦除单元划分为该第二区。