| 发明名称 | 用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造具有电覆镀通孔（110）的构件（300）的方法。所述方法在此包括以下步骤：提供具有前侧（101）和与前侧（101）相对置的背侧（102）的半导体衬底（100），在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生环形地包围接触区域（103）的绝缘沟槽（121），以绝缘材料（122）填充绝缘沟槽（121），通过在接触区域（103）中沉积导电材料在半导体衬底（100）的前侧（101）上产生电接触结构（130），去除半导体衬底（100）的背侧（102）上的留在接触区域（103）中的半导体材料（104）以便产生暴露接触结构（130）的下侧（134）的接触孔（111），在接触孔（111）中沉积金属材料（114）以便将电接触结构（130）与半导体衬底（100）的背侧（102）电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103508410A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310251111.5 | 申请日期 | 2013.06.21 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | J·莱茵穆特;J·弗莱;Y·贝格曼 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 郭毅 |
| 主权项 | 一种用于制造具有电覆镀通孔（110）的构件（300）的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有前侧（101）和与所述前侧相对置的背侧（102）的半导体衬底（100），在所述半导体衬底（100）的所述前侧（101）上产生环形地包围接触区域（103）的绝缘沟槽（121），在所述绝缘沟槽（121）中施加绝缘材料（122），通过在所述接触区域（103）中沉积导电材料在所述半导体衬底（100）的所述前侧（101）上产生电接触结构（130），去除所述半导体衬底（100）的所述背侧（102）上的留在所述接触区域（103）中的半导体材料（104），以便产生暴露所述接触结构（130）的下侧（134）的接触孔（111），在所述接触孔（111）中沉积金属材料（114），以便将所述电接触结构（130）与所述半导体衬底（100）的所述背侧（102）电连接。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||