发明名称 |
一种后栅极工艺晶体管及其形成方法 |
摘要 |
本发明公开了一种后栅极工艺晶体管及其形成方法,采用先形成第一N区侧墙,接着形成硅锗层,再形成第一P区侧墙的方法,不需要形成缓冲氧化层,避免了现有工艺中采用两次湿法刻蚀工艺进行清洗,从而对侧墙影响极大(侧墙高度消耗较大)的问题,即避免了栅极结构的多晶硅体块暴露出来。由此,能够使得形成源/漏极硅化物层时,栅极结构的多晶硅体块不被影响,即避免了多晶硅体块上形成硅聚合残余物而影响器件的性能,大大的提高了制造工艺的精密度和有效性。 |
申请公布号 |
CN103515210A |
申请公布日期 |
2014.01.15 |
申请号 |
CN201210206327.5 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
韦庆松;韩秋华 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种后栅极工艺晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底中形成N阱和P阱,在所述N阱和P阱交接处形成浅沟道隔离,在所述N阱和P阱上均形成多个栅极结构;形成第一侧墙材料层,所述第一侧墙材料层覆盖所述N阱、P阱、浅沟道隔离和栅极结构;刻蚀所述N阱上的第一侧墙材料层,形成第一N区侧墙;在所述N阱中形成硅锗层,所述硅锗层位于相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间;刻蚀所述P阱上的第一侧墙材料层,形成第一P区侧墙;在所述N阱上的相邻两个栅极结构的相邻两个第一N区侧墙之间形成源/漏极硅化物层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |