发明名称 | 具有减小寄生电阻的带电单层的碳场效应晶体管 | ||
摘要 | 具有由诸如碳纳米管或石墨烯的碳纳米结构形成的沟道并且具有减小沟道的未选通区域中的寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件,以及制造具有用于减小寄生电阻的带电单层的碳晶体管器件的方法。例如,碳场效应晶体管包括:形成在绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道;形成在所述沟道上的栅极结构;共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的DNA单层;共形地形成在所述DNA单层上的绝缘隔离物;以及通过所述沟道连接的源极接触和漏极接触。 | ||
申请公布号 | CN103518255A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
申请号 | CN201280022183.6 | 申请日期 | 2012.02.14 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 邱馨莹;汉述仁;H·T·毛纳 |
分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;张亚非 |
主权项 | 一种晶体管器件,包括:衬底;形成在所述衬底上的绝缘层;形成在所述绝缘层上的包含碳纳米结构的沟道;形成在所述沟道上的栅极结构;共形地覆盖所述栅极结构以及所述沟道的与所述栅极结构邻近的部分的带电单层;共形地形成在所述带电单层上的绝缘隔离物;以及形成在所述沟道上的源极接触和漏极接触。 | ||
地址 | 美国纽约 |