发明名称 | 在发射 TX 层具有用于互电容的非活性电极的传感器图案 | ||
摘要 | 公开了在发射TX层具有用于互电容的非活性电极的传感器图案。一种使用设置在发射(TX)电极之间或内部并关于接收(RX)电极对齐的非活性电极均衡感应阵列的互电容的装置和方法。 | ||
申请公布号 | CN103513848A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
申请号 | CN201310248769.0 | 申请日期 | 2013.06.21 |
申请人 | 赛普拉斯半导体公司 | 发明人 | 欧勒山德·霍斯塔纳 |
分类号 | G06F3/044(2006.01)I | 主分类号 | G06F3/044(2006.01)I |
代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
主权项 | 一种装置,包括:以第一方向设置在第一平面的感应阵列的第一组接收RX电极;以第二方向设置的所述感应阵列的第二组发射TX电极;及设置在第二平面的第三组非活性电极,其中,所述第三组的各非活性电极关于所述第一组的相应的各RX电极对齐。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |