多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层

摘要

本发明提供了一种多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，包括将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合，形成乳浆状溶液；将所述溶液雾化，并喷涂至坩埚内壁，自然干燥后形成氮化硅涂层。本发明提供的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合后形成乳浆状溶液，混合好的溶液经过雾化后，喷涂到坩埚的内壁上，喷涂完毕后，坩埚内壁上形成一层氮化硅的混合溶液薄膜，水分蒸发完毕后，由混合溶液形成的薄膜层干燥完毕，坩埚表面形成结构致密的氮化硅层。喷涂完毕后不需要对坩埚进行焙烤，自然状态下即可完成坩埚表面的干燥，去除了多晶硅坩埚喷涂后的烘干工艺，从而提高工作效率。本发明还提供了一种氮化硅涂层。

主权项

一种多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，包括步骤：1)将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合，形成乳浆状溶液；2)将所述溶液雾化，并喷涂至坩埚内壁，自然干燥后形成氮化硅涂层。