| 发明名称 | 可控硅静电保护器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有常规SOI器件自热效应明显的问题，提供了一种可控硅静电保护器件，其技术方案可概括为：可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的栅极与阴极之间。本发明的有益效果是，利用阻变器件及可调电源，使可控硅静电保护电路及双向可控硅静电保护电路的开启电压可调，方便用户，适用于可控硅静电保护器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103515381A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201310424584.0 | 申请日期 | 2013.09.17 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 刘洋;吴霜毅;张铎;董华;顾野;徐艳飞 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人 | 刘世平 |
| 主权项 | 可控硅静电保护器件，包括可控硅静电保护器件本体，其特征在于，还包括阻变器件及可调电源，所述阻变器件与可调电源并联，并连接在可控硅静电保护器件本体的栅极与阴极之间。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||