磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置

摘要

本发明涉及一种能够实现软磁性基底层的高磁导率和反铁磁性耦合这两者的磁记录介质等。即，本发明的磁记录介质，是在非磁性基板之上至少层叠使多个软磁性层反铁磁性耦合了的软磁性基底层和易磁化轴相对于上述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质，软磁性层以Fe为第1主成分，以Co为第2主成分，还含有Ta，软磁性基底层利用根据被夹在多个软磁性层之间的分隔层的厚度而变化的反铁磁性耦合力的第2个及其以后显现的峰来反铁磁性耦合，并且，其磁导率为1000H/m以上。

主权项

一种磁记录介质的制造方法，所述磁记录介质是在非磁性基板之上至少层叠使多个软磁性层反铁磁性耦合的软磁性基底层和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质，该制造方法的特征在于，形成以Fe为第1主成分，以Co为第2主成分，还含有Ta的软磁性层，形成软磁性基底层，该软磁性基底层利用根据被夹在所述多个软磁性层之间的分隔层的厚度而变化的反铁磁性耦合力的第2个及其以后显现的峰进行反铁磁性耦合，并且，其磁导率为1000H/m以上，在采用溅射法形成所述垂直磁性层侧的软磁性层时，对所述非磁性基板施加‑150～‑400V的范围的负偏压，所述软磁性层以原子比Fe：Co=60：40～70：30的范围含有Fe和Co，还含有13～16原子%的范围的Ta。