| 发明名称 | 隔离沟槽制造方法及发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种隔离沟槽制造方法及发光装置，该半导体结构的隔离沟槽制造方法，半导体结构具有一外延结构设置于一外延基板上，隔离沟槽的制造方法包括：形成一第一凹槽于外延结构；设置一第一硬涂层于外延结构上表面及第一凹槽的内表面，其中位于外延结构上表面的第一硬涂层的厚度大于位于第一凹槽底面的第一硬涂层的厚度；以及蚀刻位于第一凹槽底面的第一硬涂层，并于第一凹槽的底面形成一第二凹槽。本发明也揭露一种具有上述隔离沟槽的发光装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103515287A | 申请公布日期 | 2014.01.15 |
| 申请号 | CN201210323639.4 | 申请日期 | 2012.09.04 |
| 申请人 | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 | 发明人 | 徐智魁;陈源泽;李学麟 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体结构的隔离沟槽制造方法，该半导体结构具有外延结构，设置于一外延基板上，该隔离沟槽的制造方法包括下列步骤：形成一第一凹槽于该外延结构；设置一第一硬涂层于该外延结构上表面及该第一凹槽的内表面，其中，位于该外延结构上表面的该第一硬涂层的厚度大于位于该第一凹槽底面的该第一硬涂层的厚度；以及蚀刻位于该第一凹槽底面的该第一硬涂层，并于该第一凹槽的底面形成一第二凹槽。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南市 | ||